Trans MOSFET N-CH 900V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
文档 | Passivation Material 26/June/2007 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 50 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 900V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 4A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 4.2 Ohm @ 2A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 22nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 960pF @ 25V |
功率 - 最大 | 47W |
安装类型 | Through Hole |
供应商器件封装 | TO-220F |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 900 V |
最大连续漏极电流 | 4 A |
RDS -于 | 4200@10V mOhm |
最大门源电压 | ±30 V |
典型导通延迟时间 | 25 ns |
典型上升时间 | 50 ns |
典型关闭延迟时间 | 40 ns |
典型下降时间 | 35 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Rail / Tube |
最大门源电压 | ±30 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | TO-220F |
最低工作温度 | -55 |
渠道类型 | N |
封装 | Rail |
最大漏源电阻 | 4200@10V |
最大漏源电压 | 900 |
封装形式 | TO-220F |
最大功率耗散 | 47000 |
最大连续漏极电流 | 4 |
引脚数 | 3 |
铅形状 | Through Hole |
FET特点 | Standard |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 4A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 5V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 900V |
供应商设备封装 | TO-220F |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 4.2 Ohm @ 2A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 47W |
封装/外壳 | TO-220-3 Full Pack |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 960pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 22nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
类别 | Power MOSFET |
配置 | Single |
外形尺寸 | 10.16 x 4.7 x 9.19mm |
身高 | 9.19mm |
长度 | 10.16mm |
最大漏源电阻 | 4.2 Ω |
最高工作温度 | +150 °C |
最大功率耗散 | 47 W |
最低工作温度 | -55 °C |
包装类型 | TO-220F |
典型栅极电荷@ VGS | 17 nC V @ 10 |
典型输入电容@ VDS | 740 pF V @ 25 |
宽度 | 4.7mm |
晶体管极性 | N-Channel |
连续漏极电流 | 4 A |
零件号别名 | FQPF4N90C_NL |
下降时间 | 35 ns |
产品种类 | MOSFET |
单位重量 | 0.080072 oz |
正向跨导 - 闵 | 5 S |
RoHS | RoHS Compliant |
源极击穿电压 | +/- 30 V |
系列 | FQPF4N90C |
RDS(ON) | 4.2 Ohms |
安装风格 | Through Hole |
功率耗散 | 47 W |
上升时间 | 50 ns |
漏源击穿电压 | 900 V |
栅源电压(最大值) | �30 V |
漏源导通电阻 | 4.2 ohm |
工作温度范围 | -55C to 150C |
极性 | N |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
漏源导通电压 | 900 V |
弧度硬化 | No |