FQPF4N90C MOSFET N 仙童FSC
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Trans MOSFET N-CH 900V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail

文档Passivation Material 26/June/2007
RohsLead free / RoHS Compliant
标准包装50
FET 型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点Standard
漏极至源极电压(VDSS)900V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C4A
Rds(最大)@ ID,VGS4.2 Ohm @ 2A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS22nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的960pF @ 25V
功率 - 最大47W
安装类型Through Hole


供应商器件封装TO-220F




通道模式Enhancement
最大漏源电压900 V
最大连续漏极电流4 A
RDS -于4200@10V mOhm
最大门源电压±30 V
典型导通延迟时间25 ns
典型上升时间50 ns
典型关闭延迟时间40 ns
典型下降时间35 ns
工作温度-55 to 150 °C
安装Through Hole
标准包装Rail / Tube
最大门源电压±30
欧盟RoHS指令Compliant
最高工作温度150
标准包装名称TO-220F
最低工作温度-55
渠道类型N
封装Rail
最大漏源电阻4200@10V
最大漏源电压900


封装形式TO-220F
最大功率耗散47000
最大连续漏极电流4
引脚数3
铅形状Through Hole
FET特点Standard
安装类型Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C4A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id5V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss)900V
供应商设备封装TO-220F
开态Rds(最大)@ Id ,V GS4.2 Ohm @ 2A, 10V
FET型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大47W
封装/外壳TO-220-3 Full Pack
输入电容(Ciss ) @ VDS960pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS22nC @ 10V
RoHS指令Lead free / RoHS Compliant
类别Power MOSFET
配置Single
外形尺寸10.16 x 4.7 x 9.19mm
身高9.19mm
长度10.16mm
最大漏源电阻4.2 Ω
最高工作温度+150 °C
最大功率耗散47 W
最低工作温度-55 °C
包装类型TO-220F
典型栅极电荷@ VGS17 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS740 pF V @ 25
宽度4.7mm


晶体管极性N-Channel
连续漏极电流4 A
零件号别名FQPF4N90C_NL
下降时间35 ns
产品种类MOSFET
单位重量0.080072 oz
正向跨导 - 闵5 S
RoHSRoHS Compliant
源极击穿电压+/- 30 V
系列FQPF4N90C
RDS(ON)4.2 Ohms
安装风格Through Hole
功率耗散47 W
上升时间50 ns
漏源击穿电压900 V
栅源电压(最大值)�30 V
漏源导通电阻4.2 ohm
工作温度范围-55C to 150C
极性N
类型Power MOSFET
元件数1
工作温度分类Military
漏源导通电压900 V
弧度硬化No


封装
TO-220F
包装
50/管
品牌
仙童FSC
型号
FQPF4N90C
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